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Informazione Generale
ABB 3BHE006412R0101
IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor), transistor bipolare a gate isolato, è un composito completamente controllato
dispositivo a semiconduttore di potenza azionato da tensione composto da BJT (transistor bipolare) e MOS (transistor ad effetto di campo gate isolato),
e ha un alto input di MOSFET Sia l'impedenza che la bassa caduta di tensione di accensione del GTR. La tensione di saturazione GTR
è ridotto, la densità di trasporto corrente è grande, ma la corrente di pilotaggio è grande; la potenza motrice del MOSFET è piccola, t
la velocità di commutazione è elevata, ma la caduta di tensione di conduzione è elevata e la densità di trasporto corrente è ridotta.
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Notizie di automazione
Allo stesso tempo, l'attrazione del settore è stata notevolmente migliorata, e lo faranno più imprese
partecipare alla competizione del settore. Si prevede che il valore di uscita totale dell'automazione industriale in Cina
supererà 570 miliardi di yuan nel 2022.
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