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Il modulo ABB IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) che combina i numeri di parte 3BHL000392R0101, 5SHX1060H0001, 3BHB003230R0101,
e 5SXE05-0152 rappresenta un dispositivo semiconduttore di potenza ad alte prestazioni utilizzato principalmente in applicazioni industriali ad alta potenza come azionamenti motori, convertitori di potenza e applicazioni di rete.
Capacità di corrente elevata:Progettato per la gestione di grandi correnti in applicazioni industriali, che lo rende adatto per convertitori e azionamenti da media a alta potenza.
Performance di commutazione rapida:Integra la tecnologia dei tiristori commutati da gate che consente una commutazione più veloce rispetto ai tiristori tradizionali, con conseguente miglioramento dell'efficienza del sistema.
Diminuzione della tensione in stato di funzionamento:Riduce le perdite di conduzione che migliorano l'efficienza energetica e la gestione termica.
Costruzione robusta:Costruito per resistere a forti sollecitazioni elettriche e meccaniche, garantendo un'affidabilità a lungo termine in condizioni operative difficili.
Performance termica migliorata:Ottimizzato per un'efficace dissipazione del calore, che consente il funzionamento a livelli di potenza elevati senza surriscaldamento.
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DI811 3BSE008552R1 | DSQC662 3HAC026254-001 | PU515 3BSE013063R1 |
SC520 3BSE003816R1 | DSQC663 3HAC029818-001 | SB510 3BSE000860R1 |
PM633 3BSE008062R1 | PM152 3BSE003643R1 | CS31 FPR3315101R1032 |
07DC92 GJR5252200R0101 | PM151 3BSE003642R1 | 3HAC14549-3 |
DI801 3BSE020508R1 | SAFT110POW SAFT 110 POW | DSTX180 3BUR980025R1 |
AI830 3BSE008518R1 | SNAT7640 SNAT 7640 3BSE003195R1 | DSQC651 3HEA800439-002 |
DI821 3BSE008550R1 | DSQC625 3HAC020464-001 | HIEE200130R2 AFC094AE01 |
DO801 3BSE020510R1 | DSQC378B 3HNE00421-1 | HIEE300831R0001 UAC346AE01 |
PP865A 3BSE042236R2 | DSDX451 5716075-K | 07DI92 WT92 GJR5252400R4101 |
SAFT188IOC SAFT 188 IOC | PFBO161 3BSE000460R1 | 07KT97 WT97 GJR5253000R4270 |
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