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Il 3AXD50000439638 è un modulo a transistor bipolare a gate isolato (IGBT) ad alte prestazioni progettato e prodotto da ABB,
un leader globale nelle tecnologie di alimentazione e automazione. Questo modulo svolge un ruolo fondamentale nei sistemi elettronici di potenza, offrendo capacità di commutazione efficienti e
affidabili per applicazioni a media e alta tensione. È progettato specificamente per azionamenti industriali,
sistemi di energia rinnovabile, sistemi di trazione e alimentatori.
Elevata densità di potenza: Ottimizzato per design compatti senza compromettere le prestazioni.
Basse perdite di commutazione: Consente una conversione di energia efficiente e riduce i requisiti di gestione termica.
Robusto e affidabile: Costruito per resistere ad ambienti industriali difficili con una costruzione robusta.
Prestazioni di commutazione rapide: Supporta il funzionamento ad alta frequenza con un ritardo minimo, migliorando i tempi di risposta.
Gestione termica: Progettato con eccellenti caratteristiche di dissipazione del calore per migliorare la durata e l'affidabilità.
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AO610 3BHT300008R1 | 88FN02B-E GJR2370800R0200 | DSQC611 3HAC13389-2 |
DP620 3BHT300016R1 | 88FV01E GJR2332300R0200 | DSQC637 3HAC023047-001 |
PM510V08 3BSE008373R1 | 88UB01A GJR2322600R0100 | DSQC658 3HAC025779-001 |
SR511 3BSE000863R1 | 3BHE004573R0141 UFC760 BE141 | SNAT608CMT |
DSAI146 3BSE007949R1 | 3BHE004573R0142 UFC760 BE142 | SDCS-CON-2A 3ADT309600R0002 |
DSAI155A 3BSE014162R1 | CI810V2 3BSE013224R1 | SDCS-COM-81 3ADT314900R1002 |
NPCT-01C 64009486D | DI814 3BUR001454R1 | PU516 3BSE013064R1 |
81AA03A-E GJR2394100R1210 | SB512 3BSE002098R1 | SD822 3BSC610038R1 |
87TS01I-E GJR2368900R2550 | CI840 3BSE022457R1 | TU845 3BSE021447R1 |
87TS01K-E GJR2368900R2200 | SD812 3BSC610023R0001 | AI895 3BSC690086R1 |
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